题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管

答案

耗尽型PMOS管

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更多“某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8m…”相关的问题

第1题

场效应管分为两大类（）。

A.N沟道型和P沟道型

B.NPN型和PNP型

C.绝缘栅型和结型

D.增强型和耗尽型

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第2题

（）场效应管不能采用自偏压电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.结型

D.增强型和耗尽型

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第3题

结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的

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第4题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为。

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第5题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应：。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第6题

结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第7题

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A.增强型NMOS

B.增强型PMOS

C.耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS

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第8题

耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。

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第9题

N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS：。

A.越大

B.越小

C.不变

D.无法确定

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第10题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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