题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

答案

IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件

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第1题

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

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第2题

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

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第3题

比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

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第4题

在下列电力电子器件中开关频率最高的是哪一种器件？

A.IGBT

B.GTR (BJT)

C.SCR

D.Power MOSFET

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第5题

8. 下列电力电子器件哪些是全控型的。

A.晶闸管

B.IGBT

C.GTO

D.电力MOSFET

E.GTR

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第6题

以下元件属于非自关断电力电子元件有（）。

A.MOSFET

B.双向晶闸管

C.电力晶体管

D.IGBT

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