题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
属于电流驱动的器件是（）
A.电力MOSFET
B.SCR
C.GTR
D.IGBT
答案
SCR;GTR
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A.MOSFET
B.GTR
C.GTO
D.IGBT
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第2题
通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断控制的器件分为电压驱动型和电流驱动型两种，那么下列器件哪个器件是电压驱动型器件（)。
A.电力场效应管（P-MOSFET）
B.门极可关断晶阐管（GTO）
C.电力晶体管（GTR）
D.晶阐管(SCR)
第7题
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第8题
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第9题
关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？
A.缓冲电路又称吸收电路，其作用是吸收电力电子器件的热量。
B.缓冲电路又称吸收电路，其作用是使器件的开关速度变为缓慢。
C.缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
D.过电流，但并没有减小器件的开关损耗。
