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[主观题]

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

答案

A

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更多“通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管…”相关的问题

第1题

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

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第2题

在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流。

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第3题

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。硅管的温度稳定性比锗管好

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第4题

电力二极管的主要参数有正向平均电流、正向压降和反向重复峰值电压。（）

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第5题

使用二极管恒压降模型时，硅管VD的典型值0.7V，锗管VD的典型值0.5V。

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第6题

有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。

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第7题

在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；

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第8题

普通小功率锗二极管的正向导通压降约为0.1～0.3V

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第9题

半导体二极管温度升高时，少数载流子的浓度明显增大，因此二极管反向饱和电流明显增大。

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