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[主观题]

温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。硅管的温度稳定性比锗管好

答案

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第1题

通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

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第2题

一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。

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第3题

二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。

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第4题

当温度升高时，二极管的反向饱和电流会（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.随机态

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第5题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V

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第6题

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

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第7题

在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；

A.不变

B.减小

C.增大

D.无

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第8题

在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无规律变化

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第9题

硅二极管的死区电压约为。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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