题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

硅、锗和砷化镓的价带结构基本上相同，价带顶都位于布里渊区中心。

答案

中心重空穴轻空穴自旋轨道劈裂

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更多“硅、锗和砷化镓的价带结构基本上相同，价带顶都位于布里渊区中心…”相关的问题

第1题

室温时，下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是？

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

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第3题

硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。

A.<110>

B.<100>

C.<111>

D.[110]

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第4题

典型的本征半导体有

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁（Fe）

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第5题

硅、锗、砷化镓材料的肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多数载流子的热电子发射。

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第6题

磁阻效应实验中，被测量的磁阻元件是

A.锑化铟

B.砷化镓

C.硅

D.砷化铟

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第7题

下列半导体材料中，表现为双极性行为的是（）。

A.磷化镓中的锗

B.磷化镓中的硅

C.磷化镓中的锗

D.磷化铟中的硅

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第8题

对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）。

A.禁带宽度增大

B.禁带宽度变小

C.最低导带极值从布里渊区中心移向边界

D.最低的导带极值从布里渊区中心不变

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第9题

晶格常数为a的面心立方原胞的体积为______,其第一布里渊区的体积为_________。

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第10题

布里渊区的体积（或面积) ______倒格原胞的体积（或面积)

A.等于

B.小于

C.大于

D.两倍于

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