对MIS电容有明显影响的是

A.当薄层电荷贴近金属

B.当薄层电荷贴近半导体

C.当薄层电荷居于金属和半导体中间

D.当薄层电荷居于氧化层

A.减少界面陷阱电荷

B.吸附钠离子

C.抑制氧化层错

D.薄膜纯度提高

A.金半功函数差为零

B.栅氧化层内有效电荷密度不为零

C.栅氧化层与半导体界面处存在界面态

D.无法确定

A.栅极氧化层电容

B.耗尽层电容

C.源漏交叠电容

D.结电容

A.栅极氧化层电容

B.耗尽层电容

C.源漏交叠电容

D.结电容

A.3：2：1

B.1：2：3

C.4：2：1

D.1：2：4

A.仅在体电荷QB的计算中忽略了V(y)

B.仅在氧化层压降Vox的计算中忽略了V(y)

C.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均忽略了V(y)

D.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均考虑了V(y)

A.MOS电容是固定电容

B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D.随着栅电压增加，MOS电容会减小