题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1 V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5 V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是。

A.0.5 V

B.1 V

C.1.5 V

D.1.8 V

答案

1.8V

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更多“当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1 V。现将该MOS管…”相关的问题

第1题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为。

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第2题

增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

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第3题

设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

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第4题

当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

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第5题

当不考虑沟道调制效应时，MOS管小信号模型中的rds可近似为零。

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第6题

测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在区。

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断

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第7题

增强型NMOS管的开启电压（）。

A.大于零

B.小于零

C.等于零

D.大于零或等于零

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第8题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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第9题

MOS管在模拟集成电路中的工作区域是饱和区。

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第10题

增强型MOS管在vGS＞0，vGS＜0，vGS = 0时均可导通。

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