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[主观题]

等强温度TE也就是晶界与晶粒内部两者强度相等的温度。

答案

C

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第1题

让杂质偏聚在晶界，使晶粒内部纯净，有利于提高热强性。

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第2题

再结晶结束后发生晶粒长大时的驱动力主要来自于。

A.（A）高的外加温度

B.（B）高的材料内部应变能

C.（C）高的总晶界能

D.（D）都不是

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第3题

2. 细晶强化本质是晶粒越细，晶界越多，位错的塞积越严重，材料的强度也就越高。

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第4题

晶粒长大的驱动力与界面能和晶界的曲率无关

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第5题

过烧是指加热温度过高、接近金属的熔点时，使晶界出现氧化或熔化的现象。过烧组织可通过正火使晶粒细化，恢复其锻造性能。（）

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第6题

工艺上常采取获得等轴晶的工艺措施有那些？

A.降低浇注温度

B.运用激冷作用

C.孕育处理与变质处理

D.动态晶粒细化

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第7题

晶界是晶粒之间的界面

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第8题

晶界越多，晶粒越细小，细晶强化效果越明显。

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第9题

在一定温度和应力作用下空位沿着晶粒内部从低密度部位向高密度部位扩散而引起岩石或矿物的塑性变形，称为晶内扩散蠕变。

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第10题

对于晶界扩散和体内扩散，假定扩散激活能Q晶界约等于1/2Q体积，试画出其lnD相对温度倒数1/T的曲线，并指出约在哪个温度范围内晶界扩散起主导作用。

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