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[主观题]

类NMOS或非门的工作管是串联的,当输入全为高电平时,各管的导通电阻串联,使低电平输出电压升高,以致破坏正常逻辑功能;而类NMOS与非门的工作管是并联的,增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定,因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。

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第1题

类NMOS或非门的工作管是串联的,当输入全为高电平时,各管的导通电阻串联,使低电平输出电压升高,以致破坏正常逻辑功能;而类NMOS与非门的工作管是并联的,增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定,因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。对吗?
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第2题

对于N输入的CMOS与非门,由于输入端增加,描述错误的是()

A.N个NMOS管串联

B.N个PMOS管并联

C.串联管子导通,导通电阻增加,输出低电平升高

D.串联管子导通,导通电阻增加,输出高电平降低

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第3题

电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态,输入高电平时,输出为高电平;输入低电平时输出为低电平。
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第4题

下列关于CMOS电路的说法,哪些是正确的

A.NMOS开关可用于输出获取高电平的连接

B.NMOS开关只用于输出获取低电平的连接

C.MOS开关良好导通时,G与S的状态一定相反

D.MOS开关良好导通时,G与D的状态可能相同

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第5题

有三个输入端的或非门电路,要求输出高电平,其输入端应是()。

A.至少一端为高电平

B.全部为低电平

C.全部为高电平

D.至少一端为低电平

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第6题

设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。 若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,高电平驱动能力为8mA,低电平驱动能力为10mA,则PMOS导通电阻为

A.220

B.250

C.270

D.290

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第7题

CMOS电路的动态功耗主要由两部分组成。一部分是电路输出状态转换瞬间MOS管的导通功耗。另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的,当输出由高电平到低电平,或者由低电平到高电平转换时,会对电容进行充、放电,这个过程将增加电路的损耗。对吗?
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第8题

如下关于传输门/传输管的描述错误的是 。

A.NMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值损失;

B.PMOS传输管传输高电平性能好,传输低电平有阈值损失;

C.PMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值损失;

D.CMOS传输门传输高低电平都没有阈值损失,性能更接近理想开关;

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第9题

增强型NMOS管放大器偏置电压UGS>UGS(Th), 则管子导通并一定工作在恒流区。
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第10题

集成CMOS或非门电路多余输入端应该()。

A.低电平

B.高电平

C.通过1K电阻接地

D.通过1K电阻接电源正

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