题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
增强型NMOS管放大器偏置电压UGS＞UGS（Th), 则管子导通并一定工作在恒流区。
答案
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A.增强型NMOS
B.增强型PMOS
C.耗尽型NMOS
D.耗尽型PMOS
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第2题
CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的
A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管
B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管
C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管
D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
第3题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.饱和区（恒流区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
第6题
类NMOS或非门的工作管是串联的，当输入全为高电平时，各管的导通电阻串联，使低电平输出电压升高，以致破坏正常逻辑功能；而类NMOS与非门的工作管是并联的，增加NMOS管的数目不会影响低电平输出电压的稳定，因而类NMOS电路多以与非门作为基本门电路。对吗？
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第8题
测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS（th)=4V。试分析管子的工作状态。
A.恒流区
B.截止区
C.可变电阻区
D.饱和区
E.线性工作区
第10题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
