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[单选题]

当Ⅲ-Ⅴ族砷化镓中掺入硅,如果硅替位砷,则硅为()。

A.施主杂质

B.受主杂质

C.两性杂质

D.等电子杂质

答案
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第1题

室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

在纯净的硅中掺入五价杂质原子,由于其提供电子而被称为()原子。
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第3题

非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主

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第4题

磁阻效应实验中,被测量的磁阻元件是

A.锑化铟

B.砷化镓

C.硅

D.砷化铟

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第5题

硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高,是因为()。

A.硅中电子有效质量大

B.硅的纯度高,杂质少

C.硅的禁带较宽

D.硅的禁带较窄

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第6题

下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

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第7题

硅、锗、砷化镓材料的肖特基势垒中的电流输运机构,主要是多数载流子的热电子发射。
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第8题

典型的本征半导体有

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁(Fe)

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第9题

引起钢的热脆性的有害杂质元素是 ()。

A.硫

B.磷

C.硅

D.锰

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第10题

分析碳钢中常存杂质锰、硅、磷、硫、氢对钢组织和性能的影响
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