题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高,是因为()。
A.硅中电子有效质量大
B.硅的纯度高,杂质少
C.硅的禁带较宽
D.硅的禁带较窄
答案
硅的禁带宽度比锗大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高的本征载流子浓度,使器件失去性能。
![](https://lstatic.shangxueba.com/sxbcn/h5/images/tips_org.png)
A.硅中电子有效质量大
B.硅的纯度高,杂质少
C.硅的禁带较宽
D.硅的禁带较窄
第6题
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
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