题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

1、以下关于MOS管的说法正确的是

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

答案

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

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第1题

2、以下关于MOS管说法正确的是

A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大

B.MOS管是电流控制型器件

C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电

D.温度上升会使导电因子变大

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第2题

（）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电

A.MOS管，2

B.MOS管，1

C.三极管，1

D.三极管，2

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第3题

三极管是电压控制型器件，导电时两种载流子同时参与导电

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第4题

双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？

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第5题

15、三极管是电压控制型器件，导电时两种载流子同时参与导电

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第6题

【单选题】晶体管是电流控制电流器件，参与导电载流子为（）。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.电子或空穴

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第7题

MOS管只有多子参与导电。（）

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第8题

耗尽型MOS管当UGS达到一定值时，初始导电沟道消失，此电压称为。

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第9题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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第10题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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第11题

下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）

A.IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的

B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通

C.由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降

D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断

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