题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。

答案

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第1题

工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。

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第2题

测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在区。

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断

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第3题

当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

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第4题

要使耗尽型NMOS的导电沟道消失，需要外加负的栅源电压。

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第5题

如果MOS晶体管的输出电导gds等于零，说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。

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第6题

N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS：。

A.越大

B.越小

C.不变

D.无法确定

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第7题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应：。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第8题

增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压称为开启电压。

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第9题

跨导主要反应了栅源电压对漏源电压的控制能力。

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第10题

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

A.预夹断临界点

B.饱和区（恒流区、放大工作区）

C.可变电阻区

D.截止区

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