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第1题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第2题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
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第3题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第4题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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第5题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
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第6题
要使耗尽型NMOS的导电沟道消失,需要外加负的栅源电压。
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第8题
结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。
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第9题
增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第10题
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。
A.大于0
B.小于0
C.大于或小于0均可
D.无法确定
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