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[主观题]

增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压称为开启电压。

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第1题

当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

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第2题

某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。

A.N沟道增强型MOSFET

B.P沟道增强型MOSFET

C.N沟道耗尽型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

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第3题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第4题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,栅源电压VGS应: 。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第5题

某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。

A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区

B.N沟道耗尽型管,工作在放大区

C.P沟道增强型管,工作在截止区

D.P沟道耗尽型管,工作在放大区

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第6题

要使耗尽型NMOS的导电沟道消失,需要外加负的栅源电压。
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第7题

增强型绝缘栅场效应管初始时存在沟道。
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第8题

结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第9题

增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第10题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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