CMOS结构形成的NOR3中，所有PMOS器件都形成并联

CMOS结构形成的NAND4中，所有PMOS器件都形成并联

在CMOS结构中，当2个输入控制的PMOS器件构成串联时，这2个变量进行与运算；

对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，若高电平驱动能力是2mA，低电平驱动为（）mA

CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。

MOS型集成电路可以分为PMOS，NMOS和CMOS等类型。

采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a’+b.c时，使用（）个MOS器件