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[主观题]

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。

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第1题

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗?
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第2题

CMOS反相器电路是由()各一个器件构成的

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管

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第3题

MOS型集成电路可以分为PMOS,NMOS和CMOS等类型。
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第4题

CMOS传输门由 组成。

A.两个NMOS管

B.两个PMOS管

C.1个NMOS管和一个PMOS管

D.1个NMOS管

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第5题

以下电路中增益最高的是____C_____.

A.PMOS共源E/E型放大电路

B.NMOS共源E/D型放大电路

C.CMOS共源E/E型放大电路

D.PMOS共源E/D型放大电路

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第6题

CMOS电路的动态功耗主要由两部分组成。一部分是电路输出状态转换瞬间MOS管的导通功耗。另一部分是因为CMOS管的负载通常是电容性的,当输出由高电平到低电平,或者由低电平到高电平转换时,会对电容进行充、放电,这个过程将增加电路的损耗。对吗?
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第7题

题5-2-2:如下反相器电路中,当Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN,则: 。

A.NMOS饱和, PMOS饱和

B.NMOS饱和, PMOS截止

C.NMOS截止, PMOS饱和

D.NMOS截止, PMOS截止

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第8题

下列门电路工作速度最快的是()。

A.TTL

B.CMOS

C.NMOS

D.PMOS

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第9题

CMOS结构形成的NAND4中,所有PMOS器件都形成并联
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第10题

5. CMOS门电路在输入矩形脉冲信号作用下,NMOS和PMOS管中总有一个是截止的,因此它的功耗很低。
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