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[主观题]

在材料烧结时,晶粒生长过程中,小于六条边的晶粒长大,大于六条边的晶粒消失 ()。

答案
B
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第1题

在烧结中、后期的晶粒生长过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因,晶界总是向着()方向移动。

A.曲率中心

B.曲率中心相反

C.曲率中心垂直

D.任意

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第2题

以下论述中,错误的是

A.强碳化物形成元素会提高奥氏体晶粒长大的倾向;

B.C、N、B等促进奥氏体晶粒长大;

C.Ni、Co、Cu等对奥氏体晶粒长大作用不大;

D.Mn在高碳时会促进奥氏体晶粒的长大;

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第3题

2.在烧结中期,晶界开始移动,晶粒正常长大,原子从圆柱形孔隙向颗粒接触面扩散,使坯体致密()。
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第4题

影响晶粒长大的因素有?

A.杂质及合金元素

B.温度

C.第二相

D.相邻晶粒位相差

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第5题

1.钛合金自由锻造开坯主要是()。

A.破碎晶粒

B.消除内部缺陷

C.晶粒长大

D.改变成分

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第6题

晶粒长大过程的推动力为__过剩表面能。
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第7题

少量添加物能促进烧结,其原因表达不正确的是()。

A.与烧结物形成固溶体

B.促进晶型转变

C.抑制晶粒长大

D.产生液相

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第8题

晶粒长大过程的推动力为__过剩表面能。
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第9题

5.再结晶的驱动力是 。晶粒长大的驱动力是 。
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第10题

晶粒长大的驱动力与界面能和晶界的曲率无关
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