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[主观题]

晶体硅薄膜外延层增强技术中的绒面衬底上的外延生长技术主要分为化学和 两种方法。

答案
绒面衬底上的外延生长;硅锗合金;量子点太阳能电池;掩埋背反射镜
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第1题

外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
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第2题

硅锗合金技术就是外延生长SiGe合金薄膜来代替外延晶体硅薄膜,这是因为SiGe合金具有较大的光学带隙,可增加红外吸收。
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第3题

外延晶体硅薄膜太阳能电池低温沉积及陷光技术中,一般温度低于()℃。

A.300

B.400

C.500

D.600

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第4题

液相外延制膜法指含溶质的溶液(或熔体)借助过冷而使溶质在衬底上析出生长单晶薄膜的方法。
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第5题

液相外延技术的典型实验温度为700-900℃,薄膜生长速率为1nm/min数量级。
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第6题

蓝宝石上可以外延生长硅。
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第7题

蓝宝石上可以外延生长硅。
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第8题

以气相形式输运至衬底,在高温下分解或发生化学反应,在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为()。

A.气相外延

B.液相外延

C.固相外延

D.分子束外延

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