题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

外延晶体硅薄膜太阳能电池低温沉积及陷光技术中，一般温度低于（）℃。

A.300

B.400

C.500

D.600

答案

600

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第1题

硅锗合金技术就是外延生长SiGe合金薄膜来代替外延晶体硅薄膜，这是因为SiGe合金具有较大的光学带隙，可增加红外吸收。

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第2题

与晶体硅太阳能电池相比，薄膜太阳能电池的主要优点有哪些？

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第3题

晶体硅太阳能电池分为几类？各自的特点是什么？

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第4题

微晶硅薄膜太阳能电池的工作原理与硅太阳电池一样,也是基于PN 结的效应。

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第5题

晶体硅薄膜为直接带隙材料。

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第6题

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长薄膜。

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第7题

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

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第8题

在清洁的超高真空环境下，是具有一定热能的一种或多种分子束流喷射到晶体衬底，在衬底表面发生反应的成膜的技术是（）

A.多弧离子镀

B.离子束辅助沉积

C.分子束外延

D.化学气相沉积

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