4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

A.去极化局部电位

B.全或无特征

C.超极化局部电位

D.突触前膜递质释放量减少所致

A.是去极化局部电位

B.是超极化局部电位

C.具有全或无特征

D.是突触前膜递质释放减少所致

A.突触后膜去极化

B.突触后膜出现超极化

C.突触后膜对Ca2+通透性增大

D.突触前轴突末梢超极化

E.由突触前膜递质释放量减少所致

A.极化

B.去极化

C.超极化

D.复极化

A.不衰减性传导

B.与递质释放量无关

C.可发生总和

D.只能使后膜去极化

E.只能使后膜超极化

A.使突触后膜电位远离阈电位水平

B.由突触前末梢递质释放减少而产生

C.由突触后膜Na+电导增加而产生

D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.是一种去极化抑制的突触后电位

A.由突触前末梢递质释放减少而产生

B.使突触后膜电位远离阈电位水平

C.由突触后膜Na+电导增加而产生

D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.是一种去极化抑制的突触后电位

A.都是局部电位

B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变

C.EPSP释放了兴奋性的递质，引起膜的去极化

D.IPSP引发了钾离子外流，突触后膜超极化

E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道

A.极化

B.去极化

C.超极化

D.复极化

A.不能去极化

B.兴奋性递质释放增多

C.兴奋性递质释放量减少

D.释放抑制性递质

A.极化

B.去极化

C.超极化

D.复极化