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第1题
下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低
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第2题
溶剂进出过程中的反扩散即为溶剂分子向颗粒表面和孔隙扩散
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第3题
水溶态污染物要到达根表面,主要通过两个途径:一条是质体流途径,即随蒸腾拉力;另一条是扩散途径,即通过扩散而达根表面。
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第5题
通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是
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第6题
利用气体 混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是
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第7题
有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降
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第8题
以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时,其表面空间电荷是负的
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第9题
在土壤水分蒸发的稳低阶段,蒸发只能通过()方式进行。
A.水分由毛细管上升到土壤表面汽化
B.水分在土壤中汽化,然后通过土壤孔隙扩散进大气
C.水分通过土壤孔隙到达土壤表面后汽化
D.水分在毛细管中汽化,然后扩散到大气
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第10题
数控加工工艺过程是利用切削工具在数控机床上直接改变加工对象的形状、尺寸、表面位置,表面状态等,使其成为成品或半成品的过程。
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