更多“耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正…”相关的问题
第1题
增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。
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第2题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （） 。
A.增强型NMOS
B.增强型PMOS
C.耗尽型NMOS
D.耗尽型PMOS
第3题
场效应管分为两大类（）。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
第4题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第5题
CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成，其栅极相连作为输入，漏极相连作为输出，NMOS源极需接 （）电平，PMOS源极接（） 电平。
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第6题
当vGD =VTN时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。
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第7题
N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
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第8题
MOS场效应三极管的栅极电流为0，结型场效应三极管的栅极电流不能视为0。
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第9题
tanδ可反映电介质在________电压下损耗的大小，tanδ越大，电介质的损耗也_______。
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第10题
MOS型集成电路可以分为PMOS，NMOS和CMOS等类型。
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