题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

CMOS传输门由 组成。

A.两个NMOS管

B.两个PMOS管

C.1个NMOS管和一个PMOS管

D.1个NMOS管

答案
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第1题

CMOS反相器电路是由()各一个器件构成的

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS管和耗尽型PMOS管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.增强型PMOS管和耗尽型NMOS管

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第2题

CMOS传输门是由一个NMOS管构成的
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第3题

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程,其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子,而NMOS管以电子为导电载流子,由于空穴的迁移率比电子低,因此,NMOS电路的工作速比PMOS电路快,而且PMOS使用负电源,与TTL电路不匹配,所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗?
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第4题

如下关于传输门/传输管的描述错误的是 。

A.NMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值损失;

B.PMOS传输管传输高电平性能好,传输低电平有阈值损失;

C.PMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值损失;

D.CMOS传输门传输高低电平都没有阈值损失,性能更接近理想开关;

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第5题

在下列场效应管中,无原始导电沟道的为 。

A.N沟道JFET

B.耗尽型PMOS管

C.耗尽型NMOS管

D.增强型PMOS管

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第6题

在绘制版图时,版图的面积越小越好,所以要将NMOS管和PMOS管可以无限靠近
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第7题

5. CMOS门电路在输入矩形脉冲信号作用下,NMOS和PMOS管中总有一个是截止的,因此它的功耗很低。
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第8题

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管

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第9题

对于N输入的CMOS与非门,由于输入端增加,描述错误的是()

A.N个NMOS管串联

B.N个PMOS管并联

C.串联管子导通,导通电阻增加,输出低电平升高

D.串联管子导通,导通电阻增加,输出高电平降低

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第10题

CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成,其栅极相连作为输入,漏极相连作为输出,NMOS源极需接 ()电平,PMOS源极接() 电平。

A.低、高

B.高、低

C.低、低

D.高

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