题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
GTR和MOSFET都是电压驱动型器件。
答案
错误
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第6题
A.电力场效应管(P-MOSFET)
B.门极可关断晶阐管(GTO)
C.电力晶体管(GTR)
D.晶阐管(SCR)
第7题
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
第8题
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
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