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[单选题]

关于抑制性突触后电位,下列说法错误的有

A.使后膜电位远离阈电位水平

B.因突触前递质释放减少而产生

C.因后膜Ca2+电导降低而产生

D.由中间神经元受抑制而产生

答案
C、因后膜Ca2+电导降低而产生
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第1题

突触前抑制的产生机制是

A.突触前膜阈电位水平抬高

B.突触前末梢递质释放减少

C.突触前末梢释放抑制性递质

D.抑制性中间神经元兴奋

E.突触后膜产生IPSP

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第2题

突触前抑制产生的机制是

A.突触前神经元阈电位水平抬高

B.突触前末梢递质释放减少

C.突触前末梢释放抑制性神经递质

D.存在抑制性中间神经元的介导

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第3题

突触前抑制的产生是由于突触前膜

A.不能去极化

B.兴奋性递质释放增多

C.兴奋性递质释放量减少

D.释放抑制性递质

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第4题

突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为EPSP。
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第5题

兴奋性突触后电位是

A.突触后神经元处于兴奋状态

B.经一中间神经元的中介而产生

C.可由突触后膜K+电导增加而产生

D.可由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.幅度不收突触前膜递质释放量的影响

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第6题

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是

A.突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

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第7题

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是

A.突触后膜Ca2+电导降低

B.突触后膜Na+电导降低

C.中间神经元受抑制

D.突触后膜发生超极化

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第8题

关于EPSP和IPSP错误的是

A.都是局部电位

B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变

C.EPSP释放了兴奋性的递质,引起膜的去极化

D.IPSP引发了钾离子外流,突触后膜超极化

E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道

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第9题

关于突触的描述,哪些错误

A.突触扣结内含有突触小泡

B.突触小泡为圆形或扁平囊泡

C.突触前膜和后膜的胞质面均可见致密物质

D.突触前膜内有递质的受体

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第10题

抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生

A.Ca2+

B.Na+

C.K+

D.Cl-和K+

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