单晶硅片出厂前需氧化形成一层二氧化硅膜层，作为集成电路的绝缘层或隔离介质。

A.有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

B.在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

C.变成刻蚀介质以形成一个凹槽

D.在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

A.氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子

B.氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构

C.氟离子穿透晶体膜而使膜内外氟离子产生浓度差而形成双电层结构

D.氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散而形成双电层结构

A.Cr元素有利于形成致密氧化膜

B.Mn元素有利于形成致密氧化膜

C.Al元素有利于形成致密氧化膜

D.Si元素有利于形成致密氧化膜

A.鞘的前层仅由腹外斜肌腱膜构成

B.鞘的后层仅由腹内斜肌腱膜构成

C.鞘的后层仅由腹横肌腱膜构成

D.鞘的前、后层在腹前正中线交织形成半月线

E.鞘的后层在脐下4～5 cm以下缺如，形成弓状线

A.三层深色致密层

B.三层浅色疏松层

C.两层深色致密层和中间一层浅色疏松层

D.两层浅色疏松层和中间一层深色致密层

A.损坏镀锌层

B.改变强度

C.钢板会变形

D.形成氧化膜后钢板厚度降低

A.单晶膜

B.多晶膜

C.混晶膜

D.非晶体膜

A.主要有玻片、硅片等实性材料

B.不能使用硝酸纤维素膜、尼龙膜及聚丙烯膜等膜性材料

C.这些载体材料无需处理，其表面本身存在活性基团

D.不需对介质表面进行化学预处理——活化