在清洁的超高真空环境下，是具有一定热能的一种或多种分子束流喷射到晶体衬底，在衬底表面发生反应的成膜的技术是（）

CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散； ；表面迁移。（三个字）

N-Si衬底的理想MOS结构在达到积累状态时，表面积累的是空穴

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。

利用高能粒子高速撞击靶材，使大量的靶材表面原子获得相当高的能量而脱离靶材的束缚飞向衬底，沉积成膜，这种制膜方法称为溅射镀膜。

以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时，其表面空间电荷是负的

液相外延制膜法指含溶质的溶液（或熔体)借助过冷而使溶质在衬底上析出生长单晶薄膜的方法。

MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压，以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。

下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低

有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降