题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
当结晶界面前方温度梯度为______时，晶体以平面方式长大
答案
峰点
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A.垂直长大机制
B.二维平面长大
C.依靠晶体缺陷长大
D.随机长大
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第9题
下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。
A.当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。
B.当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
C.当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。
D.当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
