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[主观题]

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V

答案
0.50.2
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第1题

一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第2题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第3题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第4题

硅晶体管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第5题

在常温下,硅二极管的开启电压约为 V。

A.0.7

B.0.1

C.0.5

D.0.2

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第6题

硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第7题

晶体管电流方程为指数特性, 即使电流变化很大, 结电压UBEQ却变化很小, 故算直流工作点时, UBEQ可用一估算值来代替, 一般硅管为0.7V, 锗管为0.3V
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第8题

关于二极管的正向伏安特性,如下描述正确的是:()。

A.满足指数关系

B.位于坐标系的第一象限

C.当所加电压低于阈值电压,二极管中可能会有微弱的电流流过

D.外加电压在一定区间内,电压电流关系类似于直线

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第9题

下列有关硅二极管的说法,正确的是 。

A.死区电压为0.1V,正向导通电压为0.3 V

B.死区电压为0.3 V,正向导通电压为0.5 V

C.死区电压为0.5 V,正向导通电压为0.7 V

D.死区电压为0.7 V,正向导通电压为0.9 V

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第10题

Si二极管的正向导通电压约为0.1V
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