题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。

A.光照

B.温度

C.掺杂类型与浓度

D.热辐射

答案

光照;温度;热辐射

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第1题

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体缺陷

D.掺杂工艺

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第2题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于。

A.杂质浓度

B.温度

C.本征半导体

D.掺杂工艺

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第3题

在杂质半导体中，多子的数量与（）有关？

A.温度

B.光照

C.掺杂浓度

D.湿度

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第4题

杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。

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第5题

半导体中的少数载流子产生的原因是。

A.内电场

B.热激发

C.掺杂

D.外电场

E.本征激发

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第6题

杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。

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第7题

非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是型，掺入的是杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主

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第8题

在P型半导体中，少数载流子是自由电子。

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第9题

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

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第10题

热平衡状态非本征半导体，电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系（）

A.n0 *p0=ni2

B.n0 *p0>ni2

C.n0 *p0<ni2

D.无法确定

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