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第1题
某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次,且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns,求其刷新的开销(即进行刷新操作的时间所占的百分比)是()
A.3.2%
B.6.4%
C.12.8%
D.25.6%
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第2题
某机器的主存共32KB,由16片16K x 1位(内部采用128x128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个刷新操作周期
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第3题
一个128*128结构的DRAM芯片,每隔2ms要刷新一次,采用异步刷新方式,且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs,求刷新开销(即刷新操作的时间所占的百分比)
A.6.4%
B.3.2%
C.12.8%
D.1.6%
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第4题
需要定时刷新的半导体存储器芯片是()。
A.SRAM
B.DRAM
C.EPROM
D.Flash Memory
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第5题
某RAM芯片有12条地址线,可寻址 KB个存储单元
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第6题
设某系统中的数据总线宽度为8bit,地址总线宽度为16bit。若采用4K×4的RAM芯片组成16KB的存储系统,设该存储系统从0000H开始占用一段连续地址空间,那么最后一组组芯片占用的地址范围为 。
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第7题
RAM 芯片容量是8K*8位,用 2片该RAM芯片组成16K*8位的存储系统,地址选择的方式是将地址总线低 位并行地与存储芯片的地址线相连,#CS与高位地址线相连。
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第8题
RAM 芯片容量是4K*8位,用 4片该RAM芯片组成16K*8位的存储系统,地址选择的方式是将地址总线低 位并行地与存储芯片的地址线相连,#CS与高位地址线相连。
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第9题
PLC在一个扫描周期内,只在输出刷新阶段才将输出映像寄存器的状态转存到输出锁存器中,对输出接口进行状态刷新。
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