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[主观题]
电路如图题5.2.2所示，设BJT的β=80，VBE=0.6V，ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分
别接通A，B，C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。
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第1题
电路如图题5.2.2所示，设R1=R2=100 kΩ，VDD=5 V, Rd=7.5 kΩ，VT= -1 V, Kp=0.2 mA/V2。试计算图
题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第2题
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Rc=1.5kΩ，iB=20μA，求该器件的Q点。
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Rc=1.5kΩ，iB=20μA，求该器件的Q点。
第4题
设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问vB在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。
设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问vB在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。
第5题
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20kΩ串联，而VCC=6V
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20kΩ串联，而VCC=6V，Rc=200Ω，求电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值。设VBEQ=0.7V。
第6题
放大电路如图题4.3.5（a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设R
放大电路如图题4.3.5(a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。
