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[主观题]
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT连接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20
kΩ相串联，而Vcc=6V,Rc=2000Ω，求电路中的
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设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20kΩ串联，而VCC=6V，Rc=200Ω，求电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值。设VBEQ=0.7V。
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第2题
设用输出特性如图题5.3.1所示的BJT 连接成图题5.3.2所示的电路，在基极用VBB=3.2V和电阻R
b=20千欧，串联以代替电流源in，并设VCC=6V，Re=200千欧，试求该电路中IBQ，lCQ和VCEQ的值，设VBEQ=0.7V。
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第3题
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Rc=1.5kΩ，iB=20μA，求该器件的Q点。
设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中VCC=15V，Rc=1.5kΩ，iB=20μA，求该器件的Q点。
第4题
若将图题4.3.1所示输出特性的BJT接成图题4.3.2所示的电路，并设VCC=12V，Rc=1kΩ，在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=
若将图题4.3.1所示输出特性的BJT接成图题4.3.2所示的电路，并设VCC=12V，Rc=1kΩ，在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。求该电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值。设VBEQ=0.7V。
第6题
设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问vB在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。
设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问vB在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。
第8题
BJT的输出特性如图题4.3.1所示。（1)求该器件的β值；（2)当iC=10mA和iC=20mA时，管子的饱和压降VCES为多少？
BJT的输出特性如图题4.3.1所示。(1)求该器件的β值；(2)当iC=10mA和iC=20mA时，管子的饱和压降VCES为多少？
第9题
放大电路如图题4.3.5（a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设R
放大电路如图题4.3.5(a)所示，已知VCC=12V，BJT的β=20。若要求Av≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。
第11题
BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当iC=10mA和iC=20mA时，管子的饱和压降V≇
BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当iC=10mA和iC=20mA时，管子的饱和压降VCES为多少？
