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[主观题]

在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管截止时

的漏电流为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管导通的允许的最大负载电流为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管这时对应的输出电压负在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管载门在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管是二输入端或非门74HC27,锤个输入端的高电中输入电流最大值为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管低电平输入电流最大值为在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管试求在在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管并且满足在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管的情况下,R2取值的允许范围.

在图P3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HCO3、74HCO3输出端MOS管

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第1题

在图3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH(max)=5μA

在图3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH(max)=5μA;导通时允许的最大负载电流为IOL(max)=5.2mA,这时对应的输出电压VOL(max)=0.33V。负载门G3~G5是3输入端或非门74HC27,每个输入端的高电平输入电流最大值为IIH(max)=1μA,低电平输入电流最大值为IIL(max)=-1μA。试求在VDD=5V,并且满足VOH≥4.4V、VOL≤0.33V的情况下,RL取值的允许范围。

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第2题

在图3.24所示电路中,已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大值为IOH(max)=100μA

在图3.24所示电路中,已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大值为IOH(max)=100μA,低电平输出电流最大值为IOL(max)=8mA,这时输出的低电平为VOL(max)=0.4V。G3~G6是74LS系列的或非门,它们高电平输入电流最大值为IIH(max)=20μA,低电平输入电流最大值为IIL(max)=-0.4mA。给定VCC=5V,要求满足VOH≥3.4V、VOL≤0.4V,试求RL取值的允许范围。

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第3题

在图P3.24所示电路中,已知G1和G2为741S系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流
最大值为μA,低电平输出电流最大值为=8mA,这时输出的低电平为是74LS系列的或非门,其高电平输入电流最大值为低电平输入电流最大值为给定要求满足试求 RL取值的允许范围.

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第4题

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。

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第5题

计算图3.23电路中上拉电阻RL的阻值范围。其中,G1、G2、G3是74LS系列OC门,输出管截止时的漏电流IOH≤100μA,输出

计算图3.23电路中上拉电阻RL的阻值范围。其中,G1、G2、G3是74LS系列OC门,输出管截止时的漏电流IOH≤100μA,输出低电平VOL≤0.4V时允许的最大负载电流IOLmax=8mA。G4、G5、G6为74LS系列与非门,它们的输入电流为|IIL|≤0.4mA、IOH≤20μA。给定VCC=5 V,要求OC门的输出高、低电平应满足VOH≥3.2V、VOL≤0.4V。

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第6题

电路如图P2.8所示,G1,G2为TTL与非OC门,G3为TTL普通与非门,设与非门输出高电平UO
H=3.6V,低电平UOL=0.3V,电压表V1,V2的内阻为20kΩ,试求下列三种情况下电压表V1,V2的读数.

(1)S断开:(2)S闭合且G1,G2输出为高电平(3)s闭合且G1,G2任一输出为低电平.

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第7题

在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMOS反

在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMOS反相器.

(1)试计算电路的正向阈值电压、负向阈值电压和回差电压.

(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.

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第8题

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中,若RF1=RF2=1kΩ,C1=C2=0.1μF,G1和G2为74LS04(六反相器)中的两个反相

在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中,若RF1=RF2=1kΩ,C1=C2=0.1μF,G1和G2为74LS04(六反相器)中的两个反相器,G1和G2的VOH=3.4V,VTH=1.1V,VIK=-1.5V,R1=20kΩ,求电路的振荡频率。

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第9题

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约为50μA,饱和导通时最大允许灌电流ILM=10mA,输出低电平VOL=0.3V;TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时VPH=3.5V,低电平时VPL=0.3V。试问:

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第10题

在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G1和G2为74系列反相器7404,它们的输出高电平,

在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G1和G2为74系列反相器7404,它们的输出高电平,输出低电平阈值电压输入钳位电压,内部电阻给定R=1.5kΩ,C=0.01μF,试求电路的振荡频率.

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第11题

由OD异或门和OD与非门构成的电路及输入电压波形如图题3.3.6所示。(1) 试写出输出与输入的逻辑关

由OD异或门和OD与非门构成的电路及输入电压波形如图题3.3.6所示。

(1) 试写出输出与输入的逻辑关系式,画出输出电压波形。

(2) 已知输出低电平VOL(max)=0.33V时的最大输出电流IOL(max)=4mA,输出高电平VOH(min)=4.4V时的漏电流lOZ=5μA,计算Rp(min)和Rp(max)

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