在图3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH(max)=5μA;导通时允许的最大负载电流为IOL(max)=5.2mA,这时对应的输出电压VOL(max)=0.33V。负载门G3~G5是3输入端或非门74HC27,每个输入端的高电平输入电流最大值为IIH(max)=1μA,低电平输入电流最大值为IIL(max)=-1μA。试求在VDD=5V,并且满足VOH≥4.4V、VOL≤0.33V的情况下,RL取值的允许范围。
第1题
在图3.9所示电路中,G1和G2是两个OD输出结构的与非门74HC03。74HC03输出端MOS管截止时的漏电流为IOH(max)=5μA;导通时允许的最大负载电流为IOL(max)=5.2mA,这时对应的输出电压VOL(max)=0.33V。负载门G3~G5是3输入端或非门74HC27,每个输入端的高电平输入电流最大值为IIH(max)=1μA,低电平输入电流最大值为IIL(max)=-1μA。试求在VDD=5V,并且满足VOH≥4.4V、VOL≤0.33V的情况下,RL取值的允许范围。
第2题
在图3.24所示电路中,已知G1和G2为74LS系列OC输出结构的与非门,输出管截止时的漏电流最大值为IOH(max)=100μA,低电平输出电流最大值为IOL(max)=8mA,这时输出的低电平为VOL(max)=0.4V。G3~G6是74LS系列的或非门,它们高电平输入电流最大值为IIH(max)=20μA,低电平输入电流最大值为IIL(max)=-0.4mA。给定VCC=5V,要求满足VOH≥3.4V、VOL≤0.4V,试求RL取值的允许范围。
第3题
第4题
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。
第5题
计算图3.23电路中上拉电阻RL的阻值范围。其中,G1、G2、G3是74LS系列OC门,输出管截止时的漏电流IOH≤100μA,输出低电平VOL≤0.4V时允许的最大负载电流IOLmax=8mA。G4、G5、G6为74LS系列与非门,它们的输入电流为|IIL|≤0.4mA、IOH≤20μA。给定VCC=5 V,要求OC门的输出高、低电平应满足VOH≥3.2V、VOL≤0.4V。
第6题
(1)S断开:(2)S闭合且G1,G2输出为高电平(3)s闭合且G1,G2任一输出为低电平.
第7题
在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ.G1和G2为CMOS反相器.
(1)试计算电路的正向阈值电压、负向阈值电压和回差电压.
(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.
第8题
在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中,若RF1=RF2=1kΩ,C1=C2=0.1μF,G1和G2为74LS04(六反相器)中的两个反相器,G1和G2的VOH=3.4V,VTH=1.1V,VIK=-1.5V,R1=20kΩ,求电路的振荡频率。
第9题
电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约为50μA,饱和导通时最大允许灌电流ILM=10mA,输出低电平VOL=0.3V;TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时VPH=3.5V,低电平时VPL=0.3V。试问:
第10题
在图10-6非对称式多谐振荡器电路中,已知G1和G2为74系列反相器7404,它们的输出高电平,输出低电平阈值电压输入钳位电压,内部电阻给定R=1.5kΩ,C=0.01μF,试求电路的振荡频率.
第11题
由OD异或门和OD与非门构成的电路及输入电压波形如图题3.3.6所示。
(1) 试写出输出与输入的逻辑关系式,画出输出电压波形。
(2) 已知输出低电平VOL(max)=0.33V时的最大输出电流IOL(max)=4mA,输出高电平VOH(min)=4.4V时的漏电流lOZ=5μA,计算Rp(min)和Rp(max)。
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