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[单选题]

硅片清洗必须按照()的次序清洗,才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。

A.甲苯-丙酮-酒精-水

B.丙酮-甲苯-酒精-水

C.水-甲苯-丙酮-酒精

D.水-丙酮-甲苯-酒精

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第1题

硅片的清洗主要分为两大类,干法清洗和()清洗。

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第2题

常见的太阳能硅片清洗工艺有哪几种方法?

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第3题

在太阳能电池片生产线中,首先对硅片表面进行绒面化处理及高纯度清洗,而后在扩散炉内通入三氯氧磷、氧气等与硅片上的硅反应生成是()。

A.氯离子

B.硅原子

C.磷离子

D.磷原子

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第4题

焊接前零件表面的清洗步骤为()。

A、在槽液中去除氧化物→除油污→丙酮溶液清洗擦拭

B、除油污→在槽液中去除氧化物→丙酮溶液清洗擦拭

C、除油污→丙酮溶液清洗擦拭→在槽液中去除氧化物

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第5题

单晶制绒应,以()片为一个生产批次,把硅片插入清洗小花篮

A.100

B.200

C.300

D.50

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第6题

制绒后需使用()对硅片进行高纯度清洗。

A.HF

B.HCI

C.HF及HCI混液

D.先用HF再用HCI

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第7题

不能除去零件表面的积炭、铁锈和水垢的方法是______。

A.常规清洗

B.机械清洗

C.化学清洗

D.碱性清洗剂清洗

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第8题

不能除去零件表面的积碳的方法是()

A、油洗

B、化学清洗

C、碱性清洗剂清洗

D、机械清洗

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第9题

贵重仪表、光学零件清洗用的酒精、丙酮、乙醚等都属于()。

A.油脂清洗剂

B.有机溶剂

C.金属清洗剂

D.有机清洗剂

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第10题

电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是 SiO2(s)+4HF(g)====SiF4(g)+2H2O(l) 试求此反应自发进行的温度条

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第11题

一般硅片表面污染物来源有()。

A.有机物沾污

B.颗粒污染

C.金属离子污染

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