题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

以（)等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A.单晶硅

B.多晶硅

C.硅化金属

D.二氧化硅

E.氮化硅

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更多“以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。”相关的问题

第1题

标准单模光纤的主要原料是（）。

A.二氧化硅

B.单晶硅

C.多晶硅

D.氮化硅

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第2题

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（)。

A.二氧化硅氮化硅

B.多晶硅硅化金属

C.单晶硅多晶硅

D.铝铜

E.铝硅

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第3题

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（)的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

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第4题

在生产过程中必须使用（)来完成浅沟槽隔离STI。

A.单晶硅刻蚀

B.多晶硅刻蚀

C.二氧化硅刻蚀

D.氮化硅刻蚀

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第5题

在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在()。

在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（)。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

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第6题

下列太阳能电池中，现批量生产效率最高的是（)。

A.单晶硅

B.多晶硅

C.硅基薄膜电池

D.聚光太阳能电池

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第7题

多晶硅单质硅的一种形态，是生产单晶硅的直接原料。（)

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第8题

世界上第一块集成电路是在半导体材料（)上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第9题

为了避免（)在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅

B.单晶硅

C.铝硅铜合金

D.铜

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第10题

通常情况下光电转换效率最高的是（)太阳电池。

A.单晶硅

B.多晶硅

C.薄膜

D.有机半导体

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