实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（)。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

A.A.变窄

B.B.基本不变

C.C.变宽

D.D.无法确定

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.高

B.低

C.不变

D.不确定

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

A.体电阻上压降

B.势垒区的产生与复合

C.大注入条件

D.pn结反向击穿

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

A.高

B.高

C.低

D.低