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第1题
4、硅管的死区电压约为 ,导通电压约为 ;锗管的死区电压约为 ,导通电压约为 。
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第2题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第3题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第4题
硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
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第5题
硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
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第6题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第7题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第8题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第9题
对于硅三极管,死区电压约为 ,对于锗三极管,死区电压约为 。
A.0.1V;0.5V
B.0.5V;0.1V
C.0.7V;0.5V
D.0.5V;0.2V
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