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[单选题]

【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。

A.Y.是

B.N.否

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第1题

硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第2题

二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
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第3题

硅管的导通电压约为()V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

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第4题

硅晶体管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第5题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第6题

硅二极管的死区电压约为 。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第7题

二极管导通电压不需要超过死区电压
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第8题

对于硅晶体管来说其死区电压约为:

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.0.3V

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第9题

二极管导通电压不需要超过死区电压
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第10题

在室温27度时,锗二极管的死区电压大约为 V。

A.0.1

B.0.2

C.0.3

D.0.5

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