题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
19、下列说法错误的是：
A.半导体的电导率随温度升高而上升
B.禁带是能带和能带之间的区域
C.价带是金属中最高的半充满能带
D.导带是电子在其中能自由运动的能带
答案
本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。
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A.价带
B.导带
C.禁带
D.能带
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第2题
6、下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
第7题
下列叙述中错误的是
A.能带理论认为，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大
B.根据能带理论，半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄
C.分子间力没有饱和性和方向性，氢键有饱和性和方向性
D.金属钾是体心立方晶格，每个晶胞中只有一个钾原子
第8题
21、下列叙述中错误的是
A.能带理论认为，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大
B.根据能带理论，半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄
C.分子间力没有饱和性和方向性，氢键有饱和性和方向性
D.金属钾是体心立方晶格，每个晶胞中只有一个钾原子
