硅晶体是（）结构。每个硅原子周围有（）个电子。N个硅原子晶体，0K是导带有（）空状态，价带有（）电子。

硅晶体的基元里含有 个原子（请填阿拉伯数字）。

N型硅中因为掺入了三价原子材料，电子成为主要载流子。

在纯净的硅中掺入五价杂质原子，由于其提供电子而被称为（）原子。

硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。

原子轨道是原子中的单电子波函数，每个原子轨道最多只能容纳（）个电子。

根据金属能带理论，整个金属晶体可作为一个巨大的分子处理，N个原子轨道组合成序列N个分子轨道。成键的实质是：电子填充在低能量的分子轨道中, 使晶体的能量低于金属原子单独存在时的能量总和。

1. 在架状结构硅酸盐晶体中，硅氧四面体的四个角顶，有（）被其他硅氧四面体公用

在电子元器件中，用得最多材料是硅和锗，都是4价元素

IEC61215-2016是针对晶体硅光伏组件的标准。

5. 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。 A. 硅中电子有效质量大 B. 硅的熔点较高 C. 硅的禁带较宽 D. 硅的纯度高，杂质少