题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道，并且在正的栅源电压作用下，其漏极电流增大，则可以判断该场效应管的类型是（）。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
答案
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A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第9题
下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
第10题
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（）。
A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管，工作在放大区
C.P沟道增强型管，工作在截止区
D.P沟道耗尽型管，工作在放大区
