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第1题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第2题
场效应管分为两大类（）。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
第3题
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
第4题
耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。
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第5题
要使耗尽型NMOS的导电沟道消失，需要外加负的栅源电压。
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第6题
场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
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第7题
沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型晶体管。
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第8题
P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。
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第9题
N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
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第10题
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。
A.N沟道结型管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型PMOS管
D.耗尽型NMOS管
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