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[主观题]

砷化镓中因为Nc比Nv大得多,所以导带电子比价带空穴更容易发生简并化。

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第1题

室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

硅、锗和砷化镓的价带结构基本上相同,价带顶都位于布里渊区中心。
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第3题

砷化镓的禁带宽度比较大,它的寿命主要由()决定。

A.表面复合

B.直接复合

C.间接复合

D.俄歇复合

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第4题

本征半导体中,导带中的电子数量 价带中的空穴数量。

A.相等

B.大于

C.小于

D.不确定

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第5题

下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

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第6题

磁阻效应实验中,被测量的磁阻元件是

A.锑化铟

B.砷化镓

C.硅

D.砷化铟

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第7题

当Ⅲ-Ⅴ族砷化镓中掺入硅,如果硅替位砷,则硅为()。

A.施主杂质

B.受主杂质

C.两性杂质

D.等电子杂质

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第8题

一般草本植物的酚类化合物含量比木本植物高,因而在组织培养过程中更容易发生褐化。
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第9题

深能级杂质能向导带提供电子或价带提供空穴,改变半导体的导电性能。
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第10题

合金散射是砷化镓晶体中所特有的散射机制。
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