题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
B-T实验主要是用来测量
A.界面陷阱电荷 Qit
B.氧化层中固定电荷 Qf
C.氧化层中可动电荷 Qm
D.氧化层中陷阱电荷 Qot
答案
ABDE
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A.界面陷阱电荷 Qit
B.氧化层中固定电荷 Qf
C.氧化层中可动电荷 Qm
D.氧化层中陷阱电荷 Qot
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第4题
功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（）时对C-V特性影响最大。
A.当薄层电荷贴近金属
B.当薄层电荷贴近半导体
C.当薄层电荷居于金属和半导体中间
D.当薄层电荷居于氧化层
第5题
在一定的氧化条件下，对于晶体取向分别为[100]、[110]和[111]三个方向的硅表面，其Si- SiO2结构中固定表面电荷密度Qfc之比为（）。
A.3：2：1
B.1：2：3
C.4：2：1
D.1：2：4
第7题
在MOSFET的平方律模型中，下列关于沟道电势V（y)说法________正确
A.仅在体电荷QB的计算中忽略了V(y)
B.仅在氧化层压降Vox的计算中忽略了V(y)
C.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均忽略了V(y)
D.在体电荷QB和氧化层压降Vox的计算中均考虑了V(y)
