题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。

答案

ABCD

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第1题

当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

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第2题

三极管特性曲线仿真。要求： 1.从元器件库中分别选择一个NPN、一个PNP管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。

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第3题

P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。

A.正值

B.负值

C.零值

D.不确定的

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第4题

vGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管有。

A.结型场效应管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

D.无效选项

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第5题

增强型MOS管，在无外加偏置电压时，不存在导电沟道。

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第6题

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为。

A.正值

B.负值

C.不确定

D.0

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第7题

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。

A.N沟道结型管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型PMOS管

D.耗尽型NMOS管

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第8题

场效应管分为两大类（）。

A.N沟道型和P沟道型

B.NPN型和PNP型

C.绝缘栅型和结型

D.增强型和耗尽型

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第9题

增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。

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第10题

N沟道增强型MOS管有截止和饱和导通两种工作状态。

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