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第1题
N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为 。
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第2题
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
第3题
场效应管分为两大类（）。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
第4题
要使耗尽型NMOS的导电沟道消失，需要外加负的栅源电压。
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第5题
耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。
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第6题
N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
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第7题
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
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第8题
当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1 V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5 V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是 。
A.0.5 V
B.1 V
C.1.5 V
D.1.8 V
第9题
结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的
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第10题
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。
A.N沟道结型管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型PMOS管
D.耗尽型NMOS管
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