题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
GaAs器件与Si器件相比具有一定的优势，下面哪一项的描述不正确： 。
A.(A) 导热能力强
B.(B) 禁带宽带大
C.(C) 电子迁移率高
D.(D) 光电特性好
答案
A、(A) 导热能力强
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A.(A) 导热能力强
B.(B) 禁带宽带大
C.(C) 电子迁移率高
D.(D) 光电特性好
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第7题
以下结构体类型可以用来构造链表的是？
A.struct aa{int a; int *b;};
B.struct bb{int a; bb *b;};
C.struct cc{int *a; cc b;} ;
D.struct dd{int *a; aa b;};
第8题
以下结构体类型可以用来构造链表的是？
A.struct aa{int a; int *b;};
B.struct bb{int a; bb *b;};
C.struct cc{int *a; cc b;} ;
D.struct dd{int *a; aa b;};
第9题
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（）。
A.μGaAs＜μGe＜μSi
B.μGe＜μSi＜μGaAs
C.μSi＜μGe＜μGaAs
D.无法比较
